Dotierte Halbleiter - Elektronik

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Die n-Dotierung des Halbleiters wird durch den gezielten Einbau 5-wertiger Fremdatome (Donator-Atome z.B. Phosphor) in das reine Halbleitergitter erreicht. Die dadurch entstehenden Störstellen sorgen im Zusammenhang mit den Warmeschwingungen des Gitters für mehr kurzzeitig freie Elektronen (negative bewegliche Ladungsträger) und verringern somit den elektrischen Widerstand im Halbleiter-Gitter. Die p-Dotierung des Halbleiters wird durch den gezielten Einbau 3-wertiger Fremdatome (Akzeptor-Atome z.B. Aluminium) erreicht. Die dadurch entstehenden Störstellen sorgen im Zusammenhang mit den Warmeschwingungen des Gitters für mehr positive bewegliche Ladungsträger = Defektelektronen / Löcher, was ebenfalls den elektrischen Widerstand im Halbleiter-Gitter verringert. Die Dotierung erfolgt im Verhältnis von ca. 1 Fremdatom : 1 Million Halbleiteratome.

Höchstalter:

18

Mindestalter:

10

Bildungsebene:

Sekundarstufe I; Sekundarstufe II

Lernressourcentyp:

Simulation

Lizenz:

Darf lt. Kenntnisstand zum Zeitpunkt der Erfassung der Metadaten im Schulungs- und Ausbildungsbereich frei eingesetzt werden. Darf lt. Kenntnisstand zum Zeitpunkt der Erfassung der Metadaten im Schulungs- und Ausbildungsbereich frei eingesetzt werden

Schlagwörter:

Arbeitstechnik; Experiment; Gruppenarbeit; Halbleiterphysik; Lernen; Naturwissenschaften; Physik; Lernmaterial

freie Schlagwörter:

Physik und verwandte Wissenschaften; angewandte Wissenschaften; entdeckendes Lernen; naturwissenschaftliche Bildung

Sprache:

de

Themenbereich:

Schule; mathematisch-naturwissenschaftliche Fächer; Biologie
Schule; mathematisch-naturwissenschaftliche Fächer; Chemie
Schule; mathematisch-naturwissenschaftliche Fächer; Physik

Geeignet für:

Schüler; Lehrer